План проекта подразумевает возведение 4 производственных линий, соединенных в единый кампус, при этом в расчет не берутся сопутствующие здания вокруг основных фабрик.
SK Hynix
SK Hynix — южнокорейская компания, основанная в 1983 году. Специализируется на выпуске полупроводниковой памяти DRAM и NAND, входит в пятерку ведущих производителей оперативной памяти.
Продукцию SK Hynix использует множество компаний, включая Apple, Asus, Dell, причем не только в производстве ПК, но также телефонов, сетевого оборудования, жестких дисков и т.д.
Производственные мощности компании расположены в Корее, США, Китае и Тайване.
Продукцию SK Hynix использует множество компаний, включая Apple, Asus, Dell, причем не только в производстве ПК, но также телефонов, сетевого оборудования, жестких дисков и т.д.
Производственные мощности компании расположены в Корее, США, Китае и Тайване.
Публикации
Предварительные характеристики указывают на использование четырех линий интерфейса PCI Express 5.0, скорость последовательного чтения и записи до 13500/11500 Мбайт/с и объем до 2 Тбайт.
А объем будет составлять 16 и 24 Гбит или 2 и 3 Гбайта.
Строительство будет оцениваться примерно в $22 млрд, причем некоторая часть будет профинансирована правительством США.
Samsung покажет нам память со скоростью 37 Гбит/с, а SK hynix хоть и с немного меньшей, но все же приличной скоростью 35.4 Гбит/с.
Это напрямую связано с высокой популярностью ускорителей NVIDIA, предназначенных для работы с искусственным интеллектом.
10 ноября 2019
Полноценный гайд по разгону оперативной памяти: частота, настройка таймингов, полезной софт
10 февраля 2021
Краткий гайд по майнингу для новичка.
16 ноября 2020
Изучаем и применяем один из полезных инструментов на платформах от AMD - DRAM Calculator for Ryzen
Внедрение нового стандарта памяти потребует перепроектирования экосистемы материнских плат.
Компания начнет разработку нового поколения HBM в следующем году, при этом массовое внедрение ожидается ближе к 2026 году.
Для этого она работает над методом разветвленной упаковки на уровне пластины, подразумевающим объединение двух микросхем GDDR воедино.
Предполагается, что решение будет впервые использовано со следующим поколением HBM4.
Они предлагают крайне высокую скорость работы, приличный объем и низкое потребление.
Спрос на память DRAM и средняя цена реализации демонстрируют увеличение.
26 июня 2020
Самый полный обзор ПО AMD Radeon™ Software Adrenalin 2020 Edition
20 мая 2017
Революционная процессорная технология Ryzen от AMD обеспечила высокий уровень производительности при невысокой цене относительно конкурирующей фирмы. И, хотя первые пользователи все еще борются с…
1 апреля 2020
Материал о насущных проблемах, багах, особенностях и, главное, их решениях для видеокарт AMD Radeon RX 5500 XT, RX 5600 XT, RX 5700 и RX 5700 XT
Память LPDDR5X/T может предложить скорость работы 9600 MT/s, то есть она является самой быстрой мобильной памятью, созданной на сегодняшний день.
Более раннее появление нового поколения связано с большим спросом на ускорители компании, приносящие огромную прибыль.
Теперь им не надо каждый раз получать разрешение на ввоз оборудования на свои китайские фабрики.
Опубликованные результаты первых расследований подтверждают первоначальное предположение, заключающееся в наличии у производителя смартфона неизвестного количества складских запасов.
«SK hynix больше не ведет дела с Huawei с момента введения ограничений США против компании, и в связи с этой проблемой мы начали расследование, чтобы выяснить более подробную информацию».
Она способна обрабатывать 1.15 Тбайта/с данных за секунду.
1 февраля 2020
Технологии, скрывающиеся за компьютерными компонентами
20 января 2019
Использование AMD FreeSync с видеокартами NVIDIA. Чудеса, да и только!
31 мая 2019
Что может предложить любителям оверклокинга 6-ядерный Intel Core i5-9600k, и до какой частоты можно разогнать этот процессор на материнской плате среднего уровня? Ответы на эти и другие вопросы в материале редакции I2HARD.ru.
Изначально эта память поставлялась только Apple, но теперь её можно найти в бюджетных решениях сомнительного качества.
Например, инженеры компании использовали три стека со 107 слоями в каждом, при этом для создания 238-слойной памяти используются только два стека, но по 119 слоев.
- 2
- ...
- 4
- Следующая →