SK hynix почти готова к массовому производству 375-слойной памяти 3D NAND

Производители микросхем памяти улучшают характеристики продукции при помощи наращивания количества слоёв, и с каждым поколением вместить больше слоёв на аналогичной площади становится всё сложнее, из-за чего приходится искать новые способы. Тем не менее у SK hynix получилось разработать память 3D NAND с 375 слоями, завершить проверку производства, и теперь она готовится к модернизации существующих линий для внедрения новой технологии.

Изначально следующее поколение NAND этого производителя подразумевало наличие 400 слоёв, но от части пришлось отказаться по нескольким причинам, связанным с вольфрамом. Во-первых, его нанесение требует дополнительных материалов и шагов, которые негативно сказываются на максимальном количестве слоёв. Во-вторых, его характеристики уступают молибдену в плане электрического сопротивления по мере уменьшения толщины проводящих путей.

В-третьих, Китай является ключевым поставщиком вольфрама, а с начала этого года он сильно ограничил экспорт материала, из-за чего японские компании не могут поставлять важный для полупроводников газ. Следовательно, поставки вольфрама для производителей памяти тоже серьёзно ограничены, и применять его с такой целью не стоит, особенно когда есть более приятная замена в виде молибдена, который Samsung внедрила в девятом поколении 286-слойной памяти V-NAND.