Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому. 

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

  • Подготовка
  • Ожидания и ограничения
    • Материнская плата
    • Микросхемы
      • Отчёты Thaiphoon Burner
      • О рангах и объёме
      • Масштабирование напряжения
      • Ожидаемая максимальная частота
      • Биннинг
      • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
      • Ранговость
    • Встроенный контроллер памяти (IMC)
      • Intel – LGA1151
      • AMD – AM4
  • Разгон
    • Нахождение максимальной частоты
    • Пробуем повысить частоты
    • Оптимизация таймингов
    • Дополнительные советы
      • Intel
      • AMD

Подготовка

  • Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
  • Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
  • Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
  • С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
  • Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
  • TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
  • Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:[email protected]».
  • Благодарность: u/nucl3arlion
  • Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
  • Бенчмарки (тесты производительности):
    • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
    • MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
    • Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
    • HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

  • Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
  • На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
    • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
    • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
    • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
    • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

    Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

Микросхемы (чипы памяти)

Отчёты Thaiphoon Burner

  • Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

  • Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.  Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

  • Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

О рангах и объёме

  • Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
  • Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.


Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип
tCL
tRCD
tRP
tRFC
8 Гб AFR Да Нет Нет ?
8 Гб CJR Да Нет Нет Да
8 Гб Rev. E Да Нет Да ?
8 Гб B-die Да Да Да Да

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.


Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип Ожидаемая максимальная частота (МГц)
8 Гб AFR 3600
8 Гб CJR 4000*
8 Гб Rev. E 4000+
8 Гб B-die 4000+

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

  • 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die. На основе оценок buildzoid'а.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:


предоставлено: Silent_Scone.

Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц) VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600 1,10 – 1,15
3600-4000 1,15 – 1,20
4000+ 1,20 – 1,25

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

AMD: AM4

В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

"На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC =< 1.10 В." Источник: The Stilt

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Я читал, что напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, но другой информации об этом вольтаже я не нашёл.

"Большинство вольтажей cLDO регулируются с двух главных шин питания процессора. В случае cLDO_VDDG и cLDO_VDDP они регулируются через VDDCR_SoC. Поэтому есть пара правил. Например, если вы установите VDDG на 1,10 В, а фактическое напряжение SoC под нагрузкой у вас составляет 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу. Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 - 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки)."

Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen Ожидаемая частота (МГц)
1000 3000-3600
2000 3400-3800*
3000 3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK)
3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.

  • * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу
  • * – 3400-3533 МГц – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
    "Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте распределилось следующим образом: 3400 МГц – 12.5% образцов; 3466 МГц – 25.0%; 3533 МГц – 62.5%." Источник: The Stilt

Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых.

"Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK."

Источник: The Stilt

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на частотах выше 2666 МГц, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL.

  • К примеру, если вы попытаетесь запустить 3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16.
  • В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

"В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X."

Источник: TweakTown

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen Латентность (нс)
1000 65-75
2000 60-70
3000 65-75 (1:1 MCLK:FCLK)
75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

  • Выставляются очень большие тайминги.
  • Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
  • Выставляются оптимально-малые тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15 В VCCSA и VCCIO. 

На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

  • Asrock: VID для разгона SoC у AMD в подменю BIOS скрыты. Значения VID (Voltage ID).
  • Asus: VDDCR SOC.
  • Gigabyte: Dynamic Vcore SOC.

Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. 

В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

  • Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ. У меня 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14 Гб.
  • Минимальные рекомендуемые значения Coverage:
    • MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
    • Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на ~20%.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И этот раздел не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

1. Intel:
  • Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В
  • Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
  • Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.
Ryzen 3000:
  • Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
  • Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы


Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.

  • Я бы рекомендовал выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.
  • Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = ddr_freq*num_channels*64/8.
Частота (МГц) Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
3000 48000
3200 51200
3400 54440
3466 55456
3600 57600
3733 59728
3800 60800
4000 64000

  • Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-95% от теоретической максимальной пропускной способности.

На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)

1.AMD:

  • Попробуйте отключить GDM и установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте GDM включенным.

Intel:

  • Попробуйте установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте CR в 2Т.

2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Тайминги Надёжно
(Safe)
Оптимально
(Tight)
Предельно
(Extreme)
tRRDS
tRRDL
tFAW
6 6 24 4 6 16 4 4 16
tWR 16 12 10

Минимальный tFAW должен равняться 4-х кратному значению tRRDS. Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.

3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).

  • Начинайте с tCL и уменьшайте его на 1 до появления нестабильности.
  • То же самое проделайте с tRCD и tRP.
  • После того, как вышеупомянутые тайминги будут подтянуты до предела, выставите tRAS по формуле tRAS=tCL+tRCD(RD)+2* и tRC по формуле tRC=tRP+tRAS. 
    • Если tRAS будет ниже, то возникнут проблемы с производительностью.
    • Установка tRC доступна только в UEFI AMD и некоторых Intel. 
    • * – Для Micron Rev. E, похоже, нужно выставлять tRAS=tCL+tRCD(RD)+4 (ну, по крайней мере для моих планок так).

4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

  • Перевод в нс: 2000*timing/ddr_freq. Пример: tRFC 250 на 3200 МГц = 2000*250/3200 = 156,25 нс.
  • Перевод из нс: ns*ddr_freq/2000. Пример: 180 нс на 3600 МГц = 180*3600/2000 = 324.

Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип tRFC (нс)
8 Гб AFR 260-280
8 Гб CJR 260-280
8 Гб Rev. E 300-350
8 Гб B-die 160-180

5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

Тайминг Надёжно
(Safe)
Оптимально
(Tight)
Предельно
(Extreme)
tWTRS
tWTRL
4 12 4 8 -
tRTP 12 10 8
tCWL tCL tCL-1 tCL-2

На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.

6. Третьестепенные тайминги:

Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

Я предлагаю так:

Тайминг Надёжно
(Safe)
Оптимально
(Tight)
Предельно
(Extreme)
tRDRDSCL
tWRWRSCL
4 4 3 3 2 2

Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.

Тайминг Надёжно
(Safe)
Оптимально
(Tight)
Предельно
(Extreme)
tRDRD_sg/dg/dr/dd 8/4/8/8 7/4/7/7 6/4/6/6
tWRWR_sg/dg/dr/dd 8/4/8/8 7/4/7/7 6/4/6/6

  • О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 5.
  • Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9.
  • Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг.

А тут тайминги на B-die, к сведению.

tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.

Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.

7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX


Дополнительные советы

  • Увеличение частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, 3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и 3200 16-18-18, однако 3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью. 
  • Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на частоте 3200 МГц, то скорее всего они и на 3600 МГц будут работать так же, и даже на 4000 МГц, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.

Intel

  • Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на частотах выше 3600 МГц.
  • Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.
  • Для уменьшения значений RTL и IOL следует увеличивать значения IOL-офсетов (IOL offsets). Подробнее здесь (англ.)
  • Пользователям материнских плат Asus Maximus, имеющим проблемы с загрузкой, стоит попробовать настроить значения управления перекосами (skew). Подробнее здесь (англ.)

AMD

  • Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом. На Ryzen 3000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. С ними согласуются настройки, предлагаемые пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.
  • Понижение напряжения SoC может помочь восстановить стабильность.
  • На Ryzen 3000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на частотах выше 3600 МГц.

Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

Также будет интересно:

  • Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX (видео)

Подготовлено по материалам GitHub.