Обзор и тестирование внешнего накопителя Goodram HX100

Внешний SSD накопитель с интерфейсом PCI-E 3х4 гарантирует комфортную работу с данными за счет высоких скоростей.
Обзор и тестирование внешнего накопителя Goodram HX100

Внешние накопители на основе традиционных жестких дисков уходят в прошлое, их нишу активно занимают SSD модели с интерфейсом PCI-E. Данный интерфейс в связке с USB 3.2 Type-C потенциально обеспечивает большую скорость, чем интерфейс SATA, на основе которого также выпускаются внешние SSD.

Компания Goodram хорошо известна пользователям, и её продукты пользуются спросом: хорошее качество и производительность по доступной цене - именно это важно российским покупателям.

Думаем, что и внешние накопители данного бренда не станут исключением. Сегодня рассмотрим модель HX100 объемом 512 ГБ. Также в данную линейку входят накопители на 256 и 1000 ГБ. Прочный металлический корпус в компактном исполнении, высокие скоростные характеристики, трехлетняя гарантия – что ещё требуется от накопителя?


Технические характеристики

  • Модель: SSDPR-HX100-512;
  • Габариты: 92 × 46 ×9.2 мм;
  • Вес: 40 г;
  • Интерфейс: USB 3.2 Gen 2 Type-C, совместимость с USB 3.0 и 2.0;
  • Скорость последовательной записи/чтения: до 900/950 МБ/с;
  • Питание: 5 В;
  • Ресурс: 330 TBW;
  • Гарантия: 3 года.

Упаковка и комплектация

Накопитель поставляется в картонной коробке, оформленной в фирменный синий цвет бренда. На лицевой стороне находится изображение накопителя, указание модели, её объем и скоростные характеристики.


На тыльной стороне и гранях приводится основная информация об изделии.


В коробке находится пластиковая форма, в которой зафиксирован накопитель и кабель USB Type-C – USB Type-A. В комплекте имеется переходник с разъемом Type-A на штекер Type-C.


Переходника на micro USB нет, хотя мы использовали такой для подключения к смартфону и он вполне корректно работал с накопителем.


Внешний вид

Корпус призматической формы с закругленными боковыми гранями выполнен из металла, окрашенного в черный матовый цвет.


На лицевой стороне краской нанесен бренд производителя и наименование модели.


С обратной стороны находится обозначение модели, страна производителя и значки соответствия различным стандартам качества и сертификатам.


По торцам - пластиковые заглушки. С левой стороны по центру интерфейс USBType-C, по краям индикация активности.


Корпус достаточно жесткий, металл при нажатии не проминается.

Размер сопоставим с кредитной карточкой, но толщина значительная. Сделать накопитель еще тоньше можно, лимитирующим фактором здесь будет толщина самого интерфейсного разъема.


Кабель короткий, в меру жесткий.

Сняв заглушку с правого торца, мы видим планку на двух винтах, фиксирующую плату в пазах корпуса.


Плата является переходником с интерфейса PCI-E 3 x4 на интерфейс USB 3.1 Gen 2, основана на контроллере JMS583. На входе мы видим стандартный М.2 интерфейс с ключом-М, на выходе - разъем USB Type-C.


На плате установлен накопитель форм-фактора M.2 2242.


Основа – четырехканальный контроллер Silicon Motion SM2263XT. Он даже избыточен в этом исполнении и обеспечивает скорости в режиме последовательного чтения до 2400 МБ/с, в режиме последовательной записи — до 1700 МБ/с. Данный контроллер использует технологию HMB (Host Memory Buffer), что позволяет ему пользоваться оперативной памятью компьютера для своих нужд.

В качестве памяти используются два чипа флеш-памяти TLC NAND с маркировкой 29F02T2ANCTJ1, распаянные с двух сторон платы.


Тестирование

Конфигурация тестового ПК:

  • Материнская плата - ASRock X570 Extreme 4;
  • Процессор - AMD Ryzen 7 3700X;
  • Оперативная память - KingstonHyperX FURY Black [HX426C16FB3K4/32];
  • Накопитель - Goodram IRDM Ultimate X NVMePCIe Gen 4×4 на 500 ГБ;

Накопитель подключался к разъему USB Type-C на материнской плате и работал в режиме UASP. Такая комбинация обеспечивает получение максимально возможных скоростных показателей при тестировании.


Техническую информацию о накопителе нам покажет утилита CrystalDiskInfo. Температурного датчика нет, всегда показывается 40°С, вне зависимости от ситуации. Металлический корпус во время тестов нагревался до 40°С.


Для тестирования будут использоваться следующие утилиты:

  • ATTO Disk Benchmark - для демонстрации максимальных скоростных показателей;
  • CrystalDiskMark 8.0.4 - тестирование записи и чтения данных различного объема;
  • USB Flash Benchmark – использует для тестирования файлы определенного объема, поочередно записывая и считывая их с накопителя, затем строит наглядный график, значения более приближены к реальным рабочим показаниям.
  • AIDA64 построит графики чтения и записи по всей поверхности накопителя;
  • AS SSD Benchmark покажет реальные скорости работы в приложениях.

Утилита ATTO Disk Benchmark должна показать максимально возможные скорости чтения/записи; именно её значения, как правило, приводят производители в характеристиках изделий.


При подключении к нашему стенду контроллер не всегда верно определялся и в тестах показывались скорости характерные для интерфейса USB 3.0. При переподключении девайса он опять показывал адекватные результаты.

Максимальные полученные значения чтения - 1022 МБ/с, записи - 899 МБ/с. По чтению результаты выше, а запись по минимуму не дотягивает до заявленных производителем.

Тесты с разными объемами данных в CrystalDiskMark 8.0.4 выполнялись на накопителе, заполненном на 15%, в режиме теста для NVMe SSD со случайными данными по умолчанию. Программа работает «поверх» файловой системы и за счет небольших тестовых файлов демонстрирует высокие идеальные результаты, использует все преимущества SLC-кэширования.


Скорости последовательной и случайной записи сжимаемых данных различного объема представим в виде графиков.

SEQ1M Q8Т1: последовательная запись/чтение (один поток, глубина очереди = 8, размер блока = 1 Мб)

SEQ128K Q32Т1: последовательная запись/чтение (один поток, глубина очереди = 32, размер блока = 128 Kб)


RND4K Q32T16: случайная запись/чтение (16 потоков, размер блока = 4 Кб, глубина очереди = 32)


RND4K Q1T1: случайная запись/чтение (размер блока = 4 Кб, один поток, глубина очереди = 1)


Максимальные показатели чтения и записи - 1025 и 909 МБ/с соответственно, что практически идентично показателям ATTO Disk Benchmark.

Программа AIDA64 Disk Benchmark, в отличии от CrystalDiskMark, демонстрирует скорости чтения и записи, полученные на всем объеме накопителя.

Прежде всего при тесте твердотельных накопителей нас интересует график линейной записи, он наиболее наглядно показывает зависимость записи от SLC-кэширования.


В ускоренном SLC-режиме накопитель записывает до 32% от всего объема на максимальной скорости 853 МБ/с – это немного ниже, чем было в предыдущих утилитах. Далее контроллер пытается удерживать скорость на этом же уровне до 45% от объема. Одновременно с записью он вынужден освобождать место и уплотнять данные в ячейках, записанных в SLC-режиме. Затем скорость значительно проседает до средних 100 МБ/с - это и является реальной скоростью TLC микросхем памяти. Тестирование длилось около часа, корпус нагрелся, но троттлинга замечено не было.

График линейного чтения равномерный, на уровне 830 МБ/с.


Это уже реальные скоростные показатели, с которыми пользователю и придется работать. Они же подтверждаются утилитой AS SSD Benchmark. Данная программа также работает с файлами по всей поверхности накопителя и наглядно демонстрирует изменения скорости в зависимости от объемов тестовых файлов.

Максимальные скорости чтения - 950 МБ/с и записи - 850 МБ/с. Скорости копирования различных данных непосредственно в пределах самого накопителя составили от 282 до 533 МБ/с.


Дополнительно выстраивается график работы со сжатыми файлами. Чтение - на уровне 840 МБ/с, запись в среднем так же – 840 МБ/с, но график более выраженной зубчатой формы с незначительными просадками.


Программа USB Flash Benchmark сначала записывает, а потом считывает с накопителя данные в виде файлов разного размера по три раза и средние значения выводит на график. Наибольшие скорости до 940 МБ/с для чтения и 850 МБ/с для записи, демонстрируются при размере файла 16 МБ с последующим снижением скоростей с уменьшением размера файлов. Красный график - запись, зеленый - чтение.


Анализ результатов

Средние скорости чтения и записи, показанные в различных утилитах, которые демонстрируют как идеальные показатели, за счет работы поверх файловой системы, так и имитируют реальные сценарии работы по всей поверхности накопителя, различаются, но это связано со спецификой тестов в разных утилитах.

Реальная скорость чтения будет находиться в пределах от 850 до 950 МБ/с, скорость записи в среднем на уровне 850 МБ/с.

Вполне ожидаемо выглядит снижение скорости записи после исчерпания возможностей SLC-режима, высокая скорость записи поддерживается до 40% заполнения объема накопителя, что является хорошим результатом. Но так как мы имеем дело с внешним накопителем, то сценарий переноса большого массива данных вполне реален, и запись файлов после первых 200 ГБ будет идти на скорости 100 МБ/с, что идентично обычному HDD.

Заключение

Внешний накопитель Goodram HX100 хороший вариант для хранения и переноса данных – высокие скорости записи и считывания информации, компактный удобный размер. Цена значительно выше, чем у традиционных внешних HDD, но время и комфорт того стоят.

Накопитель универсален, поддерживает множество устройств, функция OTG работает корректно, можно сохранять файлы со смартфонов и планшетных компьютеров.

Реальные скорости чтения и записи при работе с данными были в среднем около 900 МБ/с. Это очень высокие показатели для переносного устройства хранения информации.

Плюсы:

  • Компактный размер;
  • Металлический корпус;
  • Высокие скорости чтения и записи;
  • Универсальность и совместимость.

Минусы:

  • Нет температурного датчика;
  • Нет в комплекте переходника на micro USB.