Micron разработала первый в мире модуль DDR5-9200 объёмом 512 Гбайт

Компания Micron объявила о разработке первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт. Речь идёт о серверном решении RDIMM, которое способно работать со скоростью 9200 MT/s. AMD и Intel уже занимаются его валидацией.

Такой объём удалось получить за счёт вертикального наложения кристаллов DRAM с использованием сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV). Сервер с 24 такими модулями теоретически сможет получить 12 Тбайт оперативной памяти — вдвое больше, чем предлагают текущие решения на 256 Гбайт, и в четыре раза больше по сравнению со 128-гигабайтными представителями.

По заявлениям производителя, один 512-гигабайтный модуль потребляет 16 Вт, тогда как четыре 128-гигабайтных при той же суммарной ёмкости требуют 44.2 Вт. Таким образом, энергопотребление удалось снизить более чем на 60%. В тестах Spark SVM memory-bound analytics новинка показывает до 1.4 раза более высокую производительность по сравнению с конфигурациями на 256 Гбайт.

Модуль на 512 Гбайт станет развитием уже существующей 256-гигабайтной версии, которую Micron начала тестировать этой весной. Обе используют технологический процесс 1-gamma DRAM с 3D-стекингом и предлагают скорость 9200 MT/s. Серийное производство новой памяти компания планирует запустить в 2027 году.