12-слойная память HBM3E от Samsung получила объем 36 Гбайт

Samsung не хочет отставать от конкурентов в плане разработки памяти HBM3E, для чего тоже решила поделиться своими наработками в этом направлении. Если Micron показала 8-слойную память нового поколения объемом 24 Гбайта, предназначенную эксклюзивно для ускорителя NVIDIA H100, то Samsung уже предлагает партнерам 12-слойную память объемом 36 Гбайт.

Увеличить количество слоев, объем и оставить размеры упаковки неизменными удалось при помощи усовершенствованной компрессионной непроводящей пленки (TC NCF), позволившей уменьшить деформацию кристаллов памяти при уменьшении толщины слоев, улучшить теплопередачу и количество выхода годной продукции.

«Поставщики отраслевых услуг искусственного интеллекта все чаще нуждаются в памяти HBM с большей емкостью, и наш новый 12-слойный продукт HBM3E был разработан для удовлетворения этой потребности. Новая память является частью нашего стремления к разработке ключевых технологий для высокостековой HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке HBM большой емкости в эпоху ИИ».

Уже сейчас Samsung поставляет 12-слойную HBM3E объемом 36 Гбайт избранным партнерам, а массовое производство ожидается в первой половине этого года.