Micron начала массовое производство памяти HBM3E объемом 24 Гбайта

В ближайшем будущем финансовые дела Micron станут значительно лучше, ведь компания заключила партнерство с NVIDIA, мировым поставщиком ускорителей для работы с искусственным интеллектом, на поставку микросхем памяти HBM3E для H100, предлагающих не только высокую скорость работы и большой объем, но и более низкое потребление по сравнению с решениями конкурентов.

Micron заявила, что её память HBM3E будет поставляться с объемом 24 Гбайта и состоять из 8 слоев, при этом энергопотребление будет примерно на 30% меньше этого же поколения памяти конкурентов. Что касается производительности, скорость работы обещает находиться в районе 9.2 Гбит/с на контакт, при этом пропускная способность может достигать 1.2 Тбайта/с.

Новое поколение памяти HBM изготавливается с применением технологического процесса 1-бета, усовершенствованной технологии TSV и других инноваций, о которых компания не особо хочет рассказывать. В ближайшем будущем, а точнее в следующем месяце, Micron планирует показать образец 12-слойной памяти HBM3E объемом 36 Гбайт.