Samsung ожидает существенного улучшения характеристик микросхем с обратной подачей питания

Производители микросхем периодически напоминают общественности о полезности технологии подачи питания с обратной стороны. Согласно опубликованным данным, она позволяет снизить энергопотребление, нагрев, увеличить производительность итогового продукта и улучшить другие характеристики, что не может не радовать как заказчиков, так и простых пользователей.

Пока Intel демонстрирует первые кристаллы со своей технологией подачи питания с обратной стороны, Samsung решила рассказать про свою аналогичную технологию, именуемую как Backside Power Delivery Network (BS-PDN). В опубликованном документе, показанном в рамках симпозиума VLSI, отмечается уменьшение площади двух кристаллов ARM на 10.6% и 19% соответственно, сокращение длины проводки на 9.2%, улучшение Fmax на 3.6%, уменьшение площади стандартного блока на 2.4% и увеличение его производительности на 1.6%.

Южнокорейский производитель микросхем не говорит, когда и с каким технологическим узлом он планирует внедрить свою технологию подачи питания с обратной стороны. Сейчас Samsung выпускает 3-нм продукцию на основе транзисторов GAAFET, но она создается без использования BS-PDN.