SK hynix начала массовое производство скоростной 238-слойной памяти NAND

SK hynix является одной из лучших компаний в мире в сфере производства микросхем памяти DRAM и NAND, а для того, чтобы оставаться лидером, она постоянно разрабатывает и применяет в своей продукции новые технологии.

На этот раз компания подчеркнула свое лидерство за счет начала массового производства памяти 4D (на самом деле 3D) NAND TLC с 238 слоями. Она предлагает увеличение не только слоев, но и скорости работы, которая теперь способна достигать 2400 MT/s, поэтому её можно использовать для создания твердотельных накопителей PCI Express 5.0 со скоростью последовательного чтения 12 Гбайт/с и больше.

По заявлению компании, новая память оказывается на 34% лучше аналогичной памяти, изготовленной с применением 176 слоев, и предлагает снижение стоимости каждого бита, что положительно сказывается на цене устройств с её применением, а также потребляет на 21% меньше энергии при выполнении операций чтения, что явно не будет лишним в портативных девайсах.

«SK hynix разработала решения для смартфонов и клиентских твердотельных накопителей, которые используются в качестве устройств хранения данных для ПК, используя 238-слойную технологию NAND, и в мае приступила к массовому производству. Учитывая, что компания обеспечила конкурентоспособность на мировом уровне по цене, производительности и качеству как для 238-слойной NAND, так и для 176-слойной NAND предыдущего поколения, мы ожидаем, что эти продукты будут стимулировать рост доходов во второй половине года».