Samsung объявила о массовом производстве DRAM DDR5 по 12-нм техпроцессу

Сегодня Samsung решила напомнить, что компания является одной из лучших в сфере производства микросхем DRAM, выпустив пресс-релиз, в котором объявила о начале массового производства DDR5 по самому современному технологическому процессу 12 нанометров.

Для кого-то может показаться, что 12-нм техпроцесс давно не является передовым, но не в случае оперативной памяти. Она, как правило, медленнее переходит на новые нормы, в отличие от центральных и графических процессоров, поэтому для DRAM переход на этот техпроцесс является большим достижением.

Новые микросхемы оперативной памяти относятся к последнему поколению DDR5 и имеют плотность 16 Гбит или 2 Гбайта, предлагают 20% снижение энергопотребления и на 20% больше годной продукции с одной кремниевой пластины, а также работают со скоростью 7200 MT/s.

Samsung завершила тестирование новой DRAM еще в декабре прошлого года, работая совместно с AMD.