Samsung будет использовать PAM3 для создания микросхем GDDR7

Samsung давно раскрыла свои планы относительно работы над новым поколением памяти GDDR7, однако подробностями компания не слишком торопится делиться. Это может быть связано с тем, что первая продукция с новой памятью будет выпущена не очень скоро, поэтому нет нужды в постоянной подпитке интереса.

Сегодня Samsung все же решила совсем немного, но рассказать про новую память. Опубликованная информация гласит, что микросхемы GDDR7 основываются на сигнализации PAM3, благодаря которой получилось увеличить скорость работы до 36 Гбит/с и снизить энергопотребление на 25%.

По сути, новое поколение памяти обещает быть вдвое быстрее текущего поколения GDDR6, основанного на NRZ и способного достигать скорости работы 18 Гбит/с. Есть и продвинутые микросхемы по типу GDDR6X, разработанные Micron и NVIDIA, использующие PAM4 и работающие со скоростью до 23 Гбит/с. Другими словами, GDDR7 обещает быть значительно быстрее любого типа GDDR6.

К слову, если видеокарта оснащается GDDR7 и 384-битной шиной, то её пропускная способность памяти будет достигать 1728 Гбайт/с, а с 256-битной шиной этот показатель снижается до 1152 Гбайт/с. Как видим, новое поколение памяти позволит серьезно увеличить пропускную способность будущих видеокарт, да и любой другой продукции с её использованием.