Samsung начала массовое производство продукции с использованием 3-нм техпроцесса

Samsung официально объявила о переходе на стадию массового производства продукции с использованием 3-нм технологического процесса. Это важный шаг для компании и полупроводниковой отрасли в целом, так как в нем используются транзисторы нового типа GAAFET или модернизированного варианта MBCFET в случае Samsung.

Новый тип транзисторов может предложить 45% снижение энергопотребления, увеличение производительности и плотности размещения на 23% и 16% соответственно по сравнению с 5-нм технологическим процессом. Помимо этого, компания уже работает над вторым поколением 3-нм транзисторов, которое предложит 50% снижение энергопотребления, 30% увеличение производительности и 35% увеличение площади размещения транзисторов.

Для начала Samsung будет использовать 3-нм техпроцесс для создания продукции сегмента высокопроизводительных вычислений, после чего перейдет к использованию новинки в мобильном сегменте.