Samsung может начать массовое производство по 3-нм на следующей неделе

Крупнейшие компании по производству полупроводников продолжают соревноваться в гонке технологических процессов, стараясь начать массовое производство по самому современному техпроцессу раньше конкурента. Речь идет о компаниях TSMC и Samsung, которые в этом году начнут производство по 3-нм техпроцессу.

Если верить Yonhap News Agency, компания Samsung может объявить о начале массового производства по 3-нм техпроцессу уже на следующей неделе, в то время как TSMC не раскрывает точное время начала массового производства, поэтому конкурент может опередить тайваньского производителя полупроводников и стать временным лидером в гонке техпроцессов.

Относительно 3-нм технологического процесса можно добавить, что TSMC и Samsung будут использовать разные виды транзисторов для его реализации. TSMC будет полагаться транзисторы FinFET, в то время как Samsung перейдет на GAAFET, а GAAFET от TSMC не стоит ожидать ранее 2025 года, ведь компания планирует внедрить его вместе с 2-нм.