KIOXIA работает над 7-битной памятью 3D NAND для повышения емкости накопителей

Производители памяти NAND всегда работают над увеличением объема твердотельных накопителей. Для этого можно использовать несколько путей, один из которых предполагает увеличение объема за счет увеличения количества битов в ячейке. Такой способ считается одним из самых сложных в разработке, но самым выгодным с точки зрения затрат.

Компания KIOXIA поделилась своей разработкой 7-битной памяти 3D NAND на IMW 2022. Новая память была создана в лабораторных условиях и протестирована, собственно, тоже в них, поэтому о массовом производстве говорить пока рано, да и лабораторные условия, применимые во время тестирования, очень сильно отличаются от реальных.

Как сообщает компания, она использовала монокристаллический кремниевый канал для хранения семи битов на ячейку памяти. Монокристаллический кремний имеет более низкое электрическое сопротивление, нежели поликристаллический кремний, что упрощает регистрацию ячеек. Также KIOXIA пришлось хорошенько поработать над различными уровнями напряжений. Если коротко, то для хранения 4 бит ячейка должна содержать 16 уровней напряжения, для хранения 6 бит количество уровней увеличивается до 64, а в случае хранения 7 бит необходимо 128 уровней.

Для работы с новой памятью и большим количеством уровней необходимо создать новые контроллеры, стоимость которых оставляет желать лучшего, ведь она не сильно отличается от стоимости полноценных центральных процессоров, что может крайне негативно сказаться на популярности 7-битных микросхем 3D NAND.