Samsung вовсю работает над DDR6-17000, GDDR6+ и GDDR7

Ресурс ComputerBase утверждает, что Samsung активно работает над следующим поколением оперативной памяти DDR6 и это несмотря на то, что старт продаж DDR5 официально начался менее месяца назад. Сообщается, что скорость работы оперативной памяти следующего поколения начнётся со значения 12800 MT/s с возможностью разгона до 17000 MT/s, что в два раза больше текущего нового поколения. Помимо прочего, DDR6 принесёт удвоение количества банков памяти до 64 и удвоение каналов на модуль до 4.

Также источник утверждает, что Samsung работает над памятью GDDR6+. Якобы она станет улучшением GDDR6, что понятно из названия, будет создаваться по технологическому процессу 1z и работать со скоростью до 24 Гбит/с. Что касается следующего поколения видеопамяти, компания работает над стандартом GDDR7 с интегрированной поддержкой функции защиты от ошибок в реальном времени и со скоростью работы до 32 Гбит/с.

Последнее, о чём информирует ComputerBase, это скорый выпуск HBM3. Совсем недавно SK hynix официально представляла и даже показывала свои стеки HBM3, а теперь Samsung планирует начать массовый выпуск нового типа памяти во втором квартале следующего года.