SK hynix продемонстрировала стек памяти HBM3 объёмом 24 Гбайта

Во второй половине прошлого месяца SK hynix заявила об успешном завершении разработки памяти с высокой пропускной способностью третьего поколения, а теперь она показала её вживую на OCP Summit 2021.

Стек памяти SK hynix HBM3 имеет объём 24 Гбайта, набранный 12 слоями, и работает со скоростью 6400 Мбайт/с, что при ширине шины 1024 бит дает пропускную способность до 819 Гбайт/с. Компания отмечает, что это самый объёмный стек HBM из когда-либо созданных.

Примечательно, что TSMC в следующем году закончит работу над возможностью соединения до 12 стеков HBM с двумя кристаллами логики, что при использовании памяти SK hynix HBM3 увеличит максимальный объём памяти ускорителей до 288 Гбайт с пропускной способностью до 9.8 Тбайт/с. К слову, Samsung вчера объявила, что закончила работать над 2.5D-упаковкой H-Cube, позволяющей соединять один кристалл логики с 6 стеками памяти HBM .