SK hynix успешно завершила разработку памяти HBM третьего поколения

Производитель памяти SK hynix официально заявил, что закончил разработку самой быстрой оперативной памяти High Bandwidth Memory третьего поколения или HBM3. Память HBM представляет из себя стек из нескольких микросхем DRAM, наложенных друг на друга и соединенных при помощи сквозных кремниевых переходов, они же TSV.

Стеки оперативной памяти HBM3 от SK hynix могут передавать до 819 Гбайт данных за секунду, что на 78% больше по сравнению с HBM2E. Официальной информации относительно скорости работы и ширины шины нет. Также память обладает коррекцией ошибок для повышения надежности.

Производитель предлагает стеки объем 16 и 24 Гбайта, что является самым большим объемом в отрасли на данный момент. Для создания стеков по 24 Гбайта инженеры SK hynix используют 12 микросхем DRAM толщиной 30 микрометров, треть толщины листа А4, и соединяют их при помощи вышеупомянутой технологии TSV.

Ожидается, что оперативная память HBM3 будет использоваться в высокопроизводительных центрах обработки данных, платформами машинного обучения и суперкомпьютерами. Использование памяти в домашних персональных компьютерах очень маловероятно.

«С момента запуска первой в мире HBM DRAM, SK hynix преуспела в разработке первой в отрасли HBM3 после того, как возглавила рынок HBM2E. Мы продолжим прикладывать усилия по укреплению нашего лидерства на рынке памяти премиум-класса предоставляя продукты, соответствующие стандартам управления ESG», – Сеон Ён Ча (Seon-yong Cha), исполнительный вице-президент по развитию DRAM в SK hynix.