Samsung начинает массовое производство оперативной памяти DDR5 по передовому техпроцессу

Samsung объявляет о начале массового производства микросхем оперативной памяти DDR5 по передовому 14-нм технологическому процессу с использованием EUV-литографии. В марте прошлого года компания произвела первую в отрасли память с 5 слоями EUV-литографии и теперь эта технология будет применена для создания микросхем оперативной памяти DDR5.

EUV-литография становится все важнее по мере того, как уменьшается применяемый технологический процесс. Она используется для повышения точности формирования паттернов, что позволяет улучшить характеристики и повысить производительность микросхем памяти.

Использование пяти слоев с EUV-литографией позволило получить наивысшую битовую плотность, демонстрируя увеличение производительности и снижение энергопотребления на 20% по сравнению с прошлым технологическим процессом.

«Мы возглавляем рынок DRAM в течение почти трех десятилетий, внедряя ключевые инновации в технологии создания паттернов. Сегодня Samsung устанавливает еще одну технологическую веху, создав многослойный EUV-фильтр, который позволил добиться максимальной миниатюризации при 14-нм, что невозможно с традиционным процессом фторида аргона (ArF).

Основываясь на этом прогрессе, мы продолжим предоставлять наиболее дифференцированные решения для памяти, полностью удовлетворяя потребность в большей производительности и емкости», – Джуён Ли (Jooyoung Lee), старший вице-президент и руководитель отдела продуктов и технологий DRAM в Samsung Electronics