Samsung Foundry объявляет о массовом производстве по 3-нм техпроцессу в 2022 году

На пятом ежегодном форуме Samsung Foundry Forum полупроводниковое подразделение Samsung рассказало подробности плана по внедрению новых технологических процессов и транзисторной структуры Gate-All-Around (GAAFET).

Подразделение планирует начать массовое производство по 3-нм технологическому процессу на основе Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) уже в первой половине 2022 года. Использование более тонкого технологического процесса и новой структуры транзисторов позволит уменьшить площадь конечных изделий на 35%, повысить производительность на 30% или уменьшить потребление на 50% по сравнению с 5-нм техпроцессом.

Второе поколение 3-нм транзисторов ожидается в 2023 году, в то время как массовое производство по 2-нм техпроцессу ожидается в 2025 году. На данный момент характеристики 2-нм техпроцесса с транзисторами MBCFET не раскрываются.

Также компания сообщает, что начинает производство по 17-нм технологическому процессу. Он опирается на трехмерную транзисторную архитектуру FinFET, которая позволяет уменьшить площадь изделия до 43%, повысить производительность на 39% или снизить энергопотребление на 49% по сравнению с 28-нм техпроцессом, часто используемым в автомобильной промышленности.