Samsung начнет производство оперативной памяти DDR5-7200 объемом 512 Гбайт в конце года
Samsung продолжительное время уверяет нас в том, что активно работает над микросхемами и модулями оперативной памяти DDR5. На этот раз речь пойдет и про модули, и про микросхемы, так как компания подтвердила работу над модулями оперативной памяти DDR5-7200 с использованием микросхем с 8 стеками.
На HotChips 33 компания Samsung рассказала подробности будущих модулей оперативной памяти DDR5. По её словам, она ведет активную разработку модулей со скоростью работы 7200 MT/s и объемом 512 Гбайт. Набрать такой объем получится при помощи использования микросхем памяти с 8 стеками, в то время как в DDR4 используется только 4 стека, а также благодаря 40% уменьшению зазора между стеками, которые соединяются между собой при помощи TSV.
Очевидно, что модули оперативной памяти на 512 Гбайт предназначены для использования в серверном сегменте. В настольном сегменте объем оперативной памяти не должен увеличиться свыше 64 Гбайт на модуль. Samsung прогнозирует, что массовый переход на DDR5 произойдет не ранее 2023-2024 годов.
Компания будет готова к массовому производству 512-гигабайтных модулей в конце этого года.