SK hynix приступила к массовому производству микросхем LPDDR4 по 1anm техпроцессу

Один из крупнейших производителей памяти Sk hynix объявил о начале массового производства микросхем оперативной памяти LPDDR4-4266 по технологическому процессу 1anm. Под этим подразумевается использование 10-нм техпроцесса по 1a нормам с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).

По словам компании, использование EUV-литографии было начато еще в рамках технологического процесса 1y, однако 1a полностью будет опираться на него. Это позволит увеличить количество микросхем оперативной памяти на одной кремниевой пластине на 25% и снизить их энергопотребление на 20%. Скорость новой памяти LPDDR4 будет достигать 4266 MT/s при объеме 8 Гбит (1 Гбайт).

Микросхемы LPDDR4, изготавливаемые по технологическому процессу 1anm, будут доступны производителям смартфонов в текущем году. Также данный техпроцесс будет использоваться при создании микросхем оперативной памяти DDR5.

«Благодаря повышению производительности и конкурентоспособности новейшая технология DRAM 1anm не только поможет обеспечить высокую прибыльность, но и укрепит статус SK hynix как ведущей технологической компании за счет раннего внедрения технологии EUV-литографии», – Чо Янгманн (Cho Youngmann), вице-президент SK hynix.