Samsung планирует массовое производство 176-слойных микросхем V-NAND в этом году

В далеком 2013 году Samsung представила миру первые 24-слойные микросхемы V-NAND. С того момента прошло довольно много времени и теперь компания сообщает, что выпустит 176-слойные микросхемы V-NAND в этом году. Вместе с новыми микросхемами свет увидят и новые контроллеры, “оптимизированные для многозадачности и огромных рабочих нагрузок”. Примечательно, что новые микросхемы получат самые маленькие ячейки NAND в отрасли.

Новые микросхемы и контроллеры памяти позволят создать твердотельные накопители с поддержкой интерфейса как PCI Express 4.0, так и PCI Express 5.0. По сути, в скором времени нас ждет выход преемника одного из самых быстрых накопителей на рынке Samsung 980 Pro. К сожалению, компания не делится подробными датами, поэтому нам остается только ждать.

Пока массовое производство 176-слойных микросхем только начинается, Samsung уже изготовила тестовые образцы микросхем V-NAND, которые насчитывают 200 слоев, но массовое производство твердотельных накопителей с такой памятью наступит только тогда, когда появится рыночный спрос.