SK Hynix объявила о старте массового производства HBM2E памяти

Десять месяцев назад или в августе прошлого года компания SK Hynix анонсировала разработку самой быстрой DRAM памяти HBM2E. Данная память характеризуется высокой скоростью передачи данных на один контакт – 3.6 ГБит/с, что на 50% быстрее, чем простая HBM2 память.

Сегодня, компания SK Hynix объявила о старте массового производства HBM2E памяти. Помимо высокой скорости работы памяти на один контакт, один стек такой памяти обладает пропускной способностью 460 ГБайт/с. GDDR6 память, работающая через 256-битный интерфейс на скорости 14 ГБит/с, может похвастаться пропускной способностью только 448 ГБайт/с.

Также один стек HBM2E памяти может похвастаться большим объемом памяти. Использование технологии Through Silicon Via позволяет размещать до 8 чипов памяти по 16 ГБит каждый в вертикальной компоновке. В итоге получаем 16 ГБайт памяти, тогда как прошлое поколение могло вмещать только 8 ГБайт памяти.

Учитывая, что новая HBM2E память имеет высокую скорость работы, высокую пропускную способность и низкое энергопотребление, свое применение она найдет в сфере искусственного интеллекта. Там такой набор параметров будет относительно незаменим и очень требователен.


i2HARD.Youtube