Intel перейдет на новый вид транзисторов в течение пяти лет

На сегодняшний день все производители полупроводниковой продукции используют FinFET транзисторы для создания кристаллов. Данный вид транзисторов хорошо себя зарекомендовал, однако скоро, в связи с его особенностями и характеристиками, ему придется уйти на покой, но до этого момента необходимо разработать достойную замену.

Достойная замена была найдена в лице GAAFET. Затвор данного вида транзисторов полностью окружен каналом. Это позволяет обойти физические ограничения FinFET транзисторов, увеличив производительность, уменьшив энергопотребление кристаллов и дает возможность для дальнейшего уменьшения техпроцесса.

Компания Intel считает, что успеет разработать и начнет использование GAAFET транзисторов в течение пяти лет. К слову, Samsung несколько лет назад впервые заговорила про GAAFET, однако пробное производство начнется только в этом году, поэтому сложно даже предположить, с какой скоростью придется работать инженерам Intel для достижения данной цели.

Сейчас Intel для производства кристаллов процессоров использует как 14-нм, так и 10-нм техпроцесс. В конце года выйдут последние 14-нм процессоры Rocket Lake-S, а там компания полностью перейдет на 10-нм. Также Intel планирует перейти на 7-нм в 2021 году, а в 2023 или 2024 – на 5-нм. Следовательно, использование GAAFET транзисторов в процессорах Intel стоит ожидать не ранее появления 4-/3-/2-нм техпроцесса, который появится, предположительно, в 2025 году.