Samsung задержится с массовым 3-нм производством до 2022 года

В начале этого года Samsung удалось создать прототип 3-нм технологического процесса. Компания обещала наладить массовое 3-нм производство к 2021 году, однако, по всей видимости, Samsung придется изменить свои планы в связи с пандемией коронавируса.

Перенос внедрения 3-нм техпроцесса связан с тем, что для массового производства необходимо оборудование, которое надо оперативно доставлять, а с доставкой сейчас наблюдаются проблемы, поэтому компания попросту не успевает доставить и развернуть оборудование на производственных линиях к первоначальному сроку.

Samsung хочет стать ведущим производителем полупроводниковой продукции, обогнав TSMC в гонке техпроцессов. TSMC, в свою очередь, по-прежнему планирует развернуть 3-нм производство в 2022 году. Получается, у нас два полупроводниковых гиганта планируют начать массовое 3-нм производство в один год, и, возможно, они сделают это даже в одно время. Было бы интересно на это посмотреть.

Кстати, 3-нм технологических процесс Samsung и TSMC значительно отличаются в исполнении. Если TSMC использует транзисторы с вертикально расположенным каналом и затвором (FinFET), то Samsung перейдет на GAAFET. Преимущество GAAFET в том, что канал располагается горизонтально, а затвор полностью окружает его. Это позволяет снизить рабочее напряжение и энергопотребление.