GlobalFoundries объединяется с Наньянским технологическим университетом для разработки резистивной памяти ReRAM

GlobalFoundries объявила об объединении с Наньянским технологическим университетом (Nanyang Technological University) и Национальным исследовательским фондом для разработки резистивной памяти ReRAM. Технология памяти следующего поколения проложит путь для использования памяти в качестве очень быстрого энергонезависимого встроенного кэша большой емкости. Разработка займет четыре года и обойдется в $88 миллионов.

В соответствии с условиями соглашения, Национальный исследовательский фонд предоставит необходимое финансирование Наньянскому технологическому университету, который возглавит исследование. GlobalFoundries будет поддерживать этот проект своими собственными производственными ресурсами.


В настоящее время GlobalFoundries использует eFlash для чипов, которым требуется встроенная память большой емкости. Эта технология имеет ограничения, например, низкая выносливость ячеек памяти. Это подводит производителей к разработке ReRAM, которая основана на изменении сопротивления через диэлектрический материал электрическим током. Технология также не требует цикла стирания, обещает очень высокую стойкость и может работать в широком диапазоне температур.

Поиск подходящих веществ для ReRAM будет основной темой исследований Наньянского технологического университета, в то время как GlobalFoundries должна будет найти экономически эффективный способ производства нового типа памяти на своих объектах, если разработка будет успешной.


i2HARD.Youtube