Micron готовит 400-слойную память NAND со склеиванием пластин в 2027 году

Micron рассказала о планах по выпуску памяти NAND нового поколения G11. Компания предпочла пропустить G10 и сразу перейти от текущей G9 с 276 слоями к G11 с более чем 400 слоями, что как минимум на 45% больше. Массовое производство начнётся во второй половине 2027 года.

Для приличного увеличения объёма компания собирается применить технологию склеивания пластин (wafer-on-wafer bonding): массив ячеек памяти и периферийные цепи с логикой ввода-вывода изготавливаются на отдельных пластинах по разным техпроцессам, а затем соединяются вместе. Это то, что конкуренты в лице китайской YMTC и южнокорейской Samsung уже тестируют или даже используют, так что Micron лишь догоняет конкурентов.

Заявлено двукратное увеличение плотности записи — с 21 до 42 Гбит/мм², примерно на 50% более высокая скорость — до 5400 MT/s, и снижение энергозатрат на передачу каждого бита данных более чем на 25%.