Убытки литейного подразделения Samsung в этом году сократятся почти на 42% благодаря HBM

Ранее считалось, что дела литейного бизнеса Samsung улучшились из-за роста цен на оперативную память и всплеска заказов на 2-нм производство, однако умные люди из Kiwoom Securities называют главным фактором крайне высокий спрос на память HBM, пользующейся популярностью в ускорителях высокопроизводительных вычислений.

По их оценкам, годовые операционные убытки подразделения снизятся с 6.74 триллиона южнокорейских вон или около 5.1 миллиарда американских долларов в 2025 году до 3.92 триллиона вон или примерно 2.95 миллиарда долларов в 2026 году, то есть на 41.8% всего за один год.

Квартальные убытки, которые раньше превышали 1.47 миллиарда долларов, должны сократиться до 572 миллионов. Основная причина кроется в переходе на HBM4: в отличие от предыдущих поколений, ей требуется базовый кристалл в основании стека, изготовленный по специальному техпроцессу. Samsung делает такие кристаллы самостоятельно и полагается для этого на 4-нм норму.

В долгосрочной перспективе рост должны обеспечить как простая память DRAM, так и пластины, созданные по 2-нм техпроцессу, но пока именно HBM остаётся основой хорошего финансового положения. Кроме того, возможность предложить память, произвести её и упаковать помогает Samsung заключать крупные контракты.