Каждая пластина с HBM4 от Samsung теперь включает почти 80% рабочей памяти

В феврале этого года Samsung начала массово производить стеки памяти HBM4, пользующиеся спросом у производителей ускорителей высокопроизводительных вычислений, предназначенных для работы с искусственным интеллектом.

На тот момент сообщалось о том, что якобы компания имеет 60% выхода годной продукции, но теперь, спустя полгода, показатель прилично увеличился. По словам корейского издания SEDaily, теперь выход годной продукции в случае памяти HBM4 почти достиг 80%, что можно считать стандартом для отрасли, если мы говорим про стабильные поставки и достаточное производство.

Решение от Samsung создаётся с применением технологического процесса 1c DRAM и 4-нм нормы для базовой плитки. Наложение 12 или 16 слоёв друг на друга позволяет получить от 24 до 48 Гбайт памяти со скоростью работы до 13 Гбит/c, при этом в сравнении с HBM3e отмечается 10% снижение теплового сопротивления, 30% лучшее рассеивание тепла и 40% повышение энергоэффективности.

«В последнее время выход годных микросхем HBM4 у Samsung приблизился к отметке в 80%, что делает его очень близким к достижению "золотого" уровня. Выход годных микросхем, который на ранних этапах массового производства в феврале этого года составлял менее 60%, за полгода достиг первоначальной цели на конец года. Темпы совершенствования производства, по оценкам, превзошли ожидания отрасли».