Samsung, SK hynix и Micron начали разработку оперативной памяти DDR6

До сих пор не все желающие перешли на передовой стандарт оперативной памяти DDR5. Многие пользователи по-прежнему отдают предпочтение DDR4, обеспечивающей схожую или даже идентичную производительность в зависимости от конкретной задачи при более низкой цене, особенно на фоне дефицита.

Несмотря на это, ключевые производители в лицах Samsung, SK hynix и Micron якобы уже взялись за разработку стандарта следующего поколения DDR6, о чём сообщает ресурс The ELEC. На данный момент полноценного стандарта JEDEC, регулирующего характеристики памяти, нет, поэтому они могут ориентироваться лишь на предварительные сведения о толщине памяти, структуре подложки и трассировке дорожек. Делается это для подготовки к созданию тестовых образцов, чтобы освоение DDR6 на момент запуска происходило быстрее.

«Как правило, компании, производящие память, и производители подложек начинают совместную разработку более чем за два года до запуска продукта. Начальная разработка DDR6 началась совсем недавно».

По предварительным данным, следующее поколение оперативной памяти сможет предложить существенный рост скорости работы, который, как ожидается, достигнет 17 600 MT/s. Массовое производство DDR6 ожидается примерно в 2028-2029 годах.