Samsung откладывает выпуск памяти QLC NAND V9 из-за проблем с производительностью

Samsung является одной из самых передовых компаний по выпуску современных микросхем памяти NAND, однако разработка QLC NAND V9, похоже, происходит не самым лучшим образом, на что указывают сразу два источника в лицах TrendForce и ZDNet.

Если их слова верны, то у южнокорейской компании есть «фундаментальные конструктивные проблемы, которые вызвали проблему с производительностью», присутствующие в первых партиях нового поколения памяти, из-за чего её полноценный запуск отложен до первого полугодия 2026 года.

И хотя Samsung, без сомнения, одна из лучших компаний в мире по производству NAND, проблема с запуском нового поколения QLC NAND V9 мешает ей удерживать лидерство конкретно с этим видом памяти, ведь её конкуренты, такие как южнокорейская SK hynix и японская KIOXIA, продемонстрировали свою QLC NAND с 321 и даже 332 слоями, в то время как Samsung ограничивается лишь 280-слойным дизайном, применимым в случае NAND V9.