Пекинские ученые разработали многослойный транзистор 2D GAAFET без кремния

Современные полупроводники состоят из транзисторов на основе кремния, но его использование становится все сложнее по мере уменьшения технологического процесса. Даже на 10-нм уровне он уже представляет сложности, а более тонкие нормы, такие как 2-нм, и вовсе выглядят почти нереализуемыми.

Отказаться от кремния удалось исследовательской группе из Пекина, которая опубликовала результаты создания многослойного 2D GAAFET-транзистора, указывающего на потенциальный переход к использованию оксиселенида висмута (BIOSSE), который демонстрирует гораздо большую гибкость и прочность при создании транзисторов толщиной 1 нм и меньше.

Исследователи отмечают, что новый материал не только позволит сделать транзисторы более тонкими, но и снизит их энергопотребление и повысит производительность. Например, по сравнению с 3-нм техпроцессами от Intel и TSMC, BIOSSE-транзисторы могут быть на 40% быстрее и на 10% экономичнее.