Samsung изменила техпроцесс 1с DRAM, улучшая показатель годной продукции

Samsung отстает от конкурентов в производстве стеков памяти HBM, которые высоко ценятся партнерами для создания ускорителей, используемых в высокопроизводительных вычислениях и искусственном интеллекте. Одной из ключевых проблем, помешавших компании привлечь крупных клиентов, стал её передовой техпроцесс 1c DRAM шестого поколения.

Согласно корейским СМИ, компания сделала акцент на уменьшении площади чипов памяти, что негативно сказалось на выходе годной продукции. Показатель не достигал даже 60% от требуемого уровня, из-за чего производные HBM третьего поколения от Samsung встречается значительно реже, чем аналогичные решения от текущего лидера — SK hynix.

Samsung осознала свою ошибку и с середины прошлого года начала перепроектирование техпроцесса. Цель — увеличить площадь чипов, чтобы повысить выход годной продукции с каждой пластины. Это позволит обеспечить партнеров необходимым количеством стеков HBM для удовлетворения спроса.