3-нм техпроцесс Samsung все еще не может достичь нормального уровня выхода годной продукции

Южнокорейский производитель полупроводников Samsung умудрился обогнать своего главного конкурента в лице тайваньской TSMC в плане начала массового производства с применением 3-нм технологического процесса, да еще и с транзисторами нового типа GAAFET (в её случае MBCFET), однако из-за желания стать первой, теперь она вынуждена наблюдать огромное количество дефектов на кремниевых пластинах с готовыми микросхемами.

В блоге yeux1122 были опубликованные сведения, указывающие на то, что якобы изначально Samsung хотела видеть 70% годной продукции с применением 3-нм техпроцесса первого поколения, вот только на старте его применения эта цифра была значительно меньше и даже сейчас составляет лишь 50-60%, а второе поколение якобы и вовсе выпускает лишь 20% годной продукции, чего недостаточно даже для мелкосерийного производства, не говоря о массовом.

Сейчас Samsung уже не слишком верит в свой 3-нм техпроцесс, поэтому активно инвестирует денежную массу в следующее поколение производственной нормы, известной как 2-нм. Насколько известно, Samsung планирует использовать её для создания систем на кристалле Exynos под кодовым названием Ulysses, выпуск которых ожидается примерно в 2027 году.