SK hynix анонсировала первую в отрасли 16-слойную память HBM3E объемом 48 Гбайт

Южнокорейский производитель памяти в лице SK hynix не собирается отдавать конкурентам лидерство в сфере разработки и выпуска памяти HBM, для чего недавно официально анонсировала стеки HBM3E с 16 слоями и увеличенным до 48 Гбайт объемом.

Первый анонс новой памяти был сделан генеральным директором Квак Но Чжонгом (Kwak Noh-Jung) во время мероприятия SK AI Summit 2024. По его словам, HBM3E с 16 слоями может предложить не только заметно больший объем, но и повысить производительность при обучении ИИ на 18%, а также производительность вывода на 32% по сравнению с HBM3E с 12 слоями.

Правда, несмотря на анонс новой HBM3E, генеральный директор рассчитывает на то, что полноценное массовое применение 16-слойной памяти начнется именно с выходом HBM4. Помимо анонса новой памяти, были раскрыты и другие планы SK hynix на ближайшее будущее, среди которых можно отметить работу над твердотельным накопителем с интерфейсом PCI Express 6.0.