Samsung представила микросхемы GDDR7 объемом 3 Гбайта

Samsung анонсировала новые микросхемы памяти GDDR7, предлагающие объем 24 Гбит или 3 Гбайта при скорости работы свыше 40 Гбит/с. Новые решения ориентированы на высокопроизводительные графические карты и устройства, которым требуется максимальная пропускная способность и эффективность работы.

Новая память GDDR7, созданная по 10-нм технологическому процессу, позволяет увеличить объем на 50% по сравнению с GDDR6 и сделать передачу данных более эффективной: изначально компания будет выпускать новинки со скоростью 40 Гбит/с, а потом планирует увеличить её до 42.5 Гбит/с.

В теории, использование новых микросхем позволит сделать видеокарты с 12 Гбайтами видеопамяти более распространенными, так как для набора такого количества памяти будет необходимо использовать те же 4 микросхемы, как и в случае с GDDR6, но с большим объемом, которые сейчас ограничены 2 Гбайтами.

Пропускная способность тоже обещает значительно увеличиться: 8, 12 и 16 микросхем GDDR7 объемом 3 Гбайта не только создадут видеокарты с 24, 36 и 48 Гбайтами памяти, но и позволят увеличить пропускную способность до 1280, 1920 и 2560 Гбайт/с с учетом применения 256-, 384- и 512-битных шин.