SK hynix начала массовое производство 12-слойной памяти HBM3E объемом 36 Гбайт

Как и говорилось ранее, южнокорейская компания SK hynix действительно объявила в конце сентября о начале массового производства передовых микросхем памяти последнего поколения HBM3E с увеличенным количеством слоев и объемом.

Теперь HBM3E насчитывает 12 слоев, благодаря чему объем может достигать 36 Гбайт на стек, предлагая 50% улучшение по сравнению с прошлым поколением. Более того, несмотря на больший объем и большее количество слоев, её размер остался неизменным, что является очень важным нюансом, чего удалось достичь путем 40% уменьшением толщины слоев.

Память HBM3E пользуется высоким спросом у производителей ускорителей высокопроизводительных вычислений, таких как AMD, NVIDIA и Intel, где высокая пропускная способность играет большую роль. SK hynix напоминает, что память последнего поколения предлагает скорость работы 9.6 Гбита/с, а первыми ускорителями с ней станут AMD Instinct MI325X и NVIDIA Blackwell.