Samsung начала массовое производство 280-слойной 3D NAND QLC девятого поколения

Стоимость твердотельных накопителей может ощутимо снизиться в ближайшем будущем, а все благодаря Samsung, начавшей массовое производство 280-слойных микросхем памяти 3D NAND QLC девятого поколения с заметным повышением плотности, скорости работы и улучшенной энергоэффективностью.

В новой памяти компания применила технологию травления канальных отверстий для оптимизации площади ячеек и периферийных цепей, увеличивая плотность на 86% по сравнению с QLC прошлого поколения. Технология Predictive Program позволяет предвидеть изменения состояния ячейки и контролировать его, сводя к минимуму лишние действия и повышая скорость ввода-вывода на 60%.

В плане снижения питания сообщается о технологии Mold и конструкции с низким энергопотреблением, благодаря чему операции чтения и записи требуют на 30% и 50% меньше затрат в плане питания по сравнению с прошлым поколением QLC.

Изменения в Samsung 3D NAND QLC девятого поколения позволят не только повысить плотность накопителей, скорость их работы и снизить энергопотребление, но и сделать накопители более доступными, особенно это касается премиальных моделей, где ожидается 50% снижение ценников.