SK hynix разработала первые в мире микросхемы DDR5 на 10-нм узле 1c

Южнокорейский производитель памяти в лице SK hynix объявил о разработке первых в мире микросхем памяти DDR5, основанных на 10-нм технологическом узле шестого поколения 1c.

Новое поколение памяти позволяет повысить скорость работы на 11% или до 8000 MT/s и снизить энергопотребление на более чем на 9%, снижая денежные затраты держателей центров обработки данных на внушительные 30%. Эти изменения были получены, в том числе, за счет применения новых материалов и оптимизации EUV-литографии.

Массовое применение технологического узла 1c на основе 10-нм техпроцесса шестого поколения ожидается в этом году, в то время как массовые поставки будут производиться лишь со следующего года. Также SK hynix работает над тем, чтобы внедрить 1c в другие типы памяти, такие как HBM, LPDDR6 и GDDR7.

«Мы стремимся предоставлять клиентам дифференцированные ценности, применяя технологию 1с, обладающую наилучшей производительностью и конкурентоспособной стоимостью, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7. Мы продолжим работать над сохранением лидерства в области DRAM и звания самого надежного поставщика решений для искусственного интеллекта в области памяти».