Массовое производство стеков HBM4 от Samsung ожидается лишь в конце 2025 года

Производители микросхем памяти стараются выделить как можно больше мощностей для стеков HBM, ведь они пользуются огромным спросом со стороны производителей ускорителей высокопроизводительных вычислений и продаются по значительно большей цене, нежели память GDDR.

Samsung является одним из лидеров производства памяти, поэтому она не может отказать себе в дополнительном заработке на HBM, в связи с чем работает над тем, чтобы обеспечить NVIDIA стабильные поставки памяти HBM3e, параллельно работая над следующим поколением HBM4.

Насколько сейчас известно, следующее поколение HBM должно появиться в 2025 году, поскольку большая часть производителей начнет пробное производство в этом году, как и сама Samsung, а массовое производство придется подождать до следующего года, причем в случае Samsung придется ждать до конца года.

Для создания HBM4 компания якобы будет использовать 4-нм техпроцесс литейного подразделения и 10-нм техпроцесс (1c) подразделения по производству DRAM, известный как один из лучших во всей отрасли.