Micron начала массовое производство самой быстрой памяти G9 3D NAND TLC

Теперь партнеры Micron смогут создавать одни из самых быстрых твердотельных накопителей, а все благодаря началу массового производства новых 276-слойных микросхем памяти 3D NAND TLC, основанных на передовой технологии производства девятого поколения G9.

Внутренние тесты Micron показали, что новые микросхемы памяти способны достигать скорости работы 3.6 Гбит/с, предлагают на 88% и 99% большую скорость чтения и записи по сравнению с конкурентами. Столь существенные улучшения удалось вместить в корпус размером 11.5 x 13.5 мм, что на 28% меньше текущих решений конкурентов.

Micron 2650 будет первым твердотельным накопителем с новой памятью G9 3D NAND TLC, первые результаты которого демонстрируют 38% рост показателей в бенчмарке PCMark 10 по сравнению с конкурентами, а максимальное улучшение показателей последовательного чтения и записи достигает 70% и 103%, при этом произвольная запись улучшилась на 85%.