Samsung начнет применение технологии 3D-стекирования SAINT-D уже в этом году

Хоть у Samsung и не получилось договориться с NVIDIA по поводу производства и поставок стеков памяти HBM для ускорителей высокопроизводительных вычислений нового поколения, южнокорейский производитель не собирается отказываться от технологии SANT-D, которая будет использоваться уже в этом году.

Напомним, что в ассортименте Samsung есть три интересные технологии 3D-стекирования SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology): SAINT-S для наложения SRAM на вычислительный кристалл или логику, SAINT-L для наложения логики на логику и SAINT-D для наложения DRAM на логику. О последней и появились новые сведения.

SAINT-D найдет применение в случае памяти HBM, особенно следующего поколения HBM4, поэтому компании необходимо ускорить разработку и как можно скорее начать массовое производство, чтобы предложить новое стекирование ведущим производителям ускорителей, таким как AMD и NVIDIA. Если верить слуху, исходящему от людей, посетивших мероприятие Samsung Foundry Forum 2024 в Сан-Хосе, технология будет использоваться уже в этом году.

Правда, для наложения DRAM на вычислительный кристалл необходимо, чтобы последний имел нужное строение, то есть заранее проектировался с упором на дальнейшее 3D-стекирование, вот только о таких процессорах, в том числе графических, пока никаких сведений нет.