Samsung подтвердила планы расширения ассортимента памяти для дата-центров

Южнокорейский производитель микросхем памяти в лице Samsung поделился планами относительно расширения ассортимента памяти для сегмента дата-центров, подтвердив как ранее озвученные сведения, так и поделившись новой информацией.

Согласно пресс-релизу, в прошлом месяце компания начала массовое производство 8-слойных стеков памяти HBM3e, а во втором квартале, то есть до конца этого месяца, планирует начать производство 12-слойной памяти этого же типа, предлагающей 36 Гбайт на стек.

В случае памяти DRAM для модулей оперативной памяти тоже ожидаются улучшения в виде массового производства микросхем DDR5 для создания модулей объемом 128 Гбайт. Уже сейчас компания занимается поставками первых образцов избранным партнерам, в то время как массовое производство стартует в этом месяце.

Не забыла Samsung и про память V-NAND девятого поколения, которая будет использоваться для создания серверных твердотельных накопителей объемом 64 Тбайт. Поставки первым партнерам ожидаются в этом квартале, а массовое производство назначено на третий квартал этого года.