Samsung начнет производство микросхем 3D DRAM в следующем году

Samsung поделилась своими планами относительно дальнейшего усовершенствования микросхем оперативной памяти DRAM, для чего использовала мероприятие Memcon 2024. В его рамках компания рассказала о том, что уже в следующем году планирует начать производство микросхем нового поколения, полагающихся на новые транзисторы.

Микросхемы памяти DRAM следующего поколения будут использовать вертикальную компоновку, то есть будут называться 3D DRAM, как это уже давно можно наблюдать у памяти NAND. Переход на трехмерную память позволит не только улучшить характеристики транзисторов и памяти в целом, но и увеличить объем, причем в совокупности с технологией стекирования памяти прирост обещает быть очень даже значительным.

На данный момент Samsung не показывает даже прототипы, поэтому нам придется подождать неопределенное количество времени перед тем, как компания захочет поделиться с нами большим количеством подробностей.