Samsung разработала 280-слойную память NAND с плотностью 28.5 Гбит/мм²

Помимо показа микросхем GDDR7 со скоростью работы 37 Гбит/с, Samsung посетит ISSCC 2024 с новым поколением памяти NAND QLC V9, предлагающей значительное увеличение плотности и скорости работы.

Согласно предварительной информации, новое поколение памяти QLC сможет предложить плотность 28.5 Гбит/мм², что является лучшим показателем среди всей памяти, опережая лучшие решения отрасли по типу 192-слойной NAND PLC от Intel, 300-слойной NAND TLC от SK hynix и 232-слойной NAND QLC от YMTC с плотностью 23.3/20.0/19.8 Гбит/мм² соответственно. Также новое поколение памяти сможет предложить увеличение скорости работы с 2.4 до 3.2 Гбит/с.

Больше подробностей о NAND QLC V9 получится узнать в рамках конференции ISSCC 2024 в следующем месяце, а массовое производство ожидается когда-то в этом году.