Samsung и SK hynix покажут память GDDR7 на конференции ISSCC в феврале

Работяги из многих полупроводниковых компаний собираются посетить конференцию ISSCC 2024 в следующем месяце, чтобы в её рамках рассказать о своих наработках в области памяти NAND и DRAM. Южнокорейские гиганты Samsung и SK hynix не могут пройти мимо такого события и уже сейчас сообщают, чего нам от них ожидать.

Больше всего от обеих компаний ожидается показ первых микросхем DRAM следующего поколения GDDR7, предлагающих приличное увеличение скорости работы. Samsung покажет нам память со скоростью 37 Гбит/с, а SK hynix хоть и с немного меньшей, но все же приличной скоростью 35.4 Гбит/с, при этом объем в обоих случаях одинаковый и составляет 16 Гбит или 2 Гбайта.

Если предположить, что AMD или NVIDIA вооружатся стандартом памяти следующего поколения, то теоретическая максимальная пропускная способность видеокарты с 384-битной шиной может достигать 1.79 Тбайта/с, предлагая огромный прирост по сравнению с 1.15 Тбайта/с в случае 24-гигабитной GDDR6X.