SK hynix подтвердила начало разработки памяти HBM4 в следующем году

Сейчас лучшей памятью для ускорителей высокопроизводительных вычислений является HBM3E с пропускной способностью более одного терабайта в секунду, однако на этом производители не собираются останавливаться и в следующем году обещают начать работу над следующим поколением HBM4.

Micron и Samsung уже поделились своими планами относительно HBM следующего поколения, а теперь это сделала южнокорейская SK hynix. Согласно сообщению в официальном блоге, компания начнет разработку HBM4 в следующем году, при этом массовое внедрение ожидается ближе к 2026 году.

Ожидается, что JEDEC опубликует финальные характеристики HBM4 только во второй половине следующего года или даже в 2025 году. С другой стороны, производители самой памяти могут быстрее показать прототипы и рассказать о характеристиках, благодаря чему мы заранее будем знать о возможностях нового поколения памяти.