Micron анонсировала модули памяти RDIMM DDR5 объемом 128 Гбайт

Micron продолжает работать над тем, чтобы оставаться лидером в своем деле, для чего анонсировала новые регистровые модули оперативной памяти RDIMM DDR5, предлагающие улучшения в плане плотности, энергоэффективности и задержки.

По заявлению производителя, микросхемы для новых модулей изготавливаются по технологическому процессу 1β и предлагают скорость работы вплоть до 8000 MT/s, а модули на их основе будут достигать объема 128 Гбайт. Если сравнить с прошлым поколением, то новая память предлагает 45% улучшение битовой плотности, 24% улучшение энергоэффективности, снижение задержек на 16% и улучшение эффективности при обучении искусственного интеллекта на 28%.

В этом году Micron планирует поставлять модули RDIMM DDR5 со скоростью работы 4800, 5600 и 6400 MT/s, а более скоростные, способные достигать 8000 MT/s, будут выпущены когда-то в следующем году. Также компания планирует использовать эти микросхемы для создания модулей MCRDIMM и MRDIMM объемом 128, 256 Гбайт и даже больше.

«Мы гордимся тем, что установили новый стандарт для высокоскоростной памяти большой емкости в центрах обработки данных с помощью модулей DDR5 RDIMM объемом 128 Гбайт, которые обеспечивают высокую пропускную способность и емкость, необходимые для все более ресурсоемких рабочих нагрузок. Micron продолжает улучшать экосистему центров обработки данных благодаря раннему доступу к нашим передовым технологиям и поддержке в разработке и интеграции передовых решений памяти высокой емкости», – Правин Вайдьянатан (Praveen Vaidyanathan), вице-президент и генеральный менеджер группы вычислительных продуктов Micron.