Samsung представила память HBM3E поколения Shinebolt

Samsung не собирается отставать от SK hynix, для чего представила свою память HBM следующего поколения, предлагающую значительное увеличение пропускной способности. Память была показана в рамках мероприятия Samsung Memory Tech Day 2023.

Новая память получила наименование HBM3E и относится к поколению Shinebolt. Она предлагает увеличенную до 9.8 Гбит/с скорость работы на контакт, а также пропускную способность свыше 1.2 Тбайта/с. Для того, чтобы память не перегревалась из-за наложения слоев друг на друга, да еще и работающих со столь высокой скоростью, компании пришлось оптимизировать свою технологию Non-Conductive Film (NCF), устраняя зазоры между слоями.

Помимо нового поколения HBM, Samsung оказалась не против показать в рамках мероприятия 32-гигабитную микросхему памяти DDR5, GDDR7 со скоростью работы 32 Гбит/с, LPDDR5x-9600, а также AutoSSD для мобильного сегмента, предлагающий объем 4 Тбайта и скорость последовательного чтения до 6500 Мбайт/с.