TSMC заявила, что её 2-нм техпроцесс будет лучше Intel 18A

TSMC продолжает оставаться лидером по производству заказных полупроводников за счет применения самых, или практически самых, передовых технологических норм. Её конкуренты тоже могут предложить услуги по производству микросхем, причем даже по более современным нормам, однако это абсолютно не волнует представителей тайваньской компании.

По заявлению генерального директора TSMC, сейчас компания работает над 2-нм технологическим процессом, основанным на новом типе транзисторов GAAFET, предлагающих серьезное изменение дизайна и улучшение характеристик. Ему придется соревноваться с 2-нм техпроцессом Samsung, который тоже будет основываться на GAAFET, а также с Intel 18A.

Интересно, что TSMC не видит серьезной конкуренции, заявляя, что её 2-нм техпроцесс будет лучше 1.8-нм техпроцесса Intel, причем как в плане плотности размещения транзисторов, так и в плане характеристик. Более того, улучшения будут достигнуты без применения технологии подачи питания с обратной стороны, то есть у компании будет возможность для дальнейшего улучшения, в то время как Intel 18A получит и новый тип транзисторов RibbonFET, и подачу питания с обратной стороны.

«Наша внутренняя оценка показывает, что наш N3P сравним с технологией нашего конкурента 18А, но с более ранним выходом на рынок, большей технологической зрелостью и гораздо лучшей стоимостью. На самом деле, наша 2-нм технология без подачи питания с обратной стороны более совершенна, чем Intel 18A, и станет самой передовой технологией полупроводниковой промышленности, когда она будет представлена ​​в 2025 году».